京力科技的 P 型和 N 型功率MOSFET，採用深溝道或分隔閘極的結構設計。其V_DS範圍從 -20V到 200V，I_DS的最大值可達 330A。這些器件內部的矽晶片，是用先進的 8吋和 12吋晶圓製程生產，並且獲得 ISO / QC / UL / IATF 認證。用於組裝這些器件的，是各種薄型及適配表面貼裝 PCB 工藝的封裝，從體積最小的 SOT23-3（2.9mm x 2.4mm）到體積最大的 TOLL （12mm x 7mm）。這些封裝均為無鉛，並使用符合RoHS標準的材料製造。根據 { R_DS(ON), Q_g, C_iss, C_oss, V_GS(th), E_AS } 等關鍵電參數的數值，這些器件適用於各種低至高功率的應用，例如：負載 / 功率開關和電機驅動；並應用於通訊中心、個人電腦和伺服器、電源、適配器和充電器、各種交通工具、消費電子、機器人、工業設備等最終系統中。